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ZXMN2AM832
TYPICAL CHARACTERISTICS
ISSUE 3 - JANUARY 2005
5
SEMICONDUCTORS
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ZXMN2B01F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:DIODES 功能描述:MOSFET, N, SOT-23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2. 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 2.4A, SOT-23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.4A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):100mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:1V, No. of Pins:3 , RoHS Compliant: Yes 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.
ZXMN2B01FTA 功能描述:MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN2B03E6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6
ZXMN2B03E6TA 功能描述:MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN2B03E6TA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:ZXMN2B03E6 Series N-Channel 20 V 0.04 Ohm Power MOSFET Surface Mount - SOT-23-6
ZXMN2B14FH 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 4.3A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):55mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes